什么是内光电效应？
答：内光电效应的详细理解为：半导体材料的价带与导带间有一个带隙,其能量间隔为Eg。一般情况下,价带中的电子不会自发地跃迁到导带,所以半导体材料的导电性远不如导体。
但如果通过某种方式给价带中的电子提供能量,就可以将其激发到导带中,形成载流子,增加导电性。
光照就是一种激励方式。当入射光的能量hν≥Eg (Eg为带隙间隔)时,价带中的电子就会吸收光子的能量,跃迁到导带,而在价带中留下一个空穴,形成一对可以导电的电子——空穴对。
这里的电子并未逸出形成光电子,但显然存在着由于光照而产生的电效应。因此,这种光电效应就是一种内光电效应。
延伸阅读
光电效应具体分哪几种?各自包括哪些常用光电传感元件?
光电效应分为外光电效应和内光电效应，其中内光电效应又分为光电导效应和光生伏特效应，光电导效应需要给电路加电压，而光生伏特不用。这三种光电效应的区分很简单，就是在光线作用下，它们电子的变化是不一样的。
①在光线作用下，电子逸出物体表面，物体的伏安特性发生了变化，这是外光电效应，如光电管，光电倍增管等。
外光电效应
②吸收光线能量后，电子不逸出，物体电阻率发生明显变化，这是光电导效应，如光敏电阻，光敏晶体管等；
光电导效应
③吸收光线能量后，电子不逸出，并在物体内部自建场里产生光电压，这是光生伏特效应，如光敏二极管，三极管和光电池等。
通过以上光电元件，我们可以把测量物的光变化转化成电变化。
比如利用光电管（外光电效应）作为接收器，制成光控制电器，可用于自动控制，进行自动计数、自动报警、自动跟踪等。当光照在光电管上时，光电管电路中产生电光流，经过放大器放大，使电磁铁磁化，然后把衔铁吸住；当光电管上没有光照时，光电管电路中没有电流，电磁铁与衔铁分离
再比如最常见的光敏二极管（光电导效应）。光电传感器光敏二极管的外型与一般二极管一样，只是它的管壳上开有一个嵌着玻璃的窗口，以便于光线X，为增加受光面积，PN结的面积做得较大。当无光照时，它的反向电流很小，电路截止；当有光照时，载流子被激发，产生光电载流子，电路接通。
光电效应怎么定义？
光照X金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。光电效应分为光电子发射、光电导效应和阻挡层光电效应，又称光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。按照粒子说，光是由一份一份不连续的光子组成，当某一光子照X对光灵敏的金属(如硒)上时，它的能量可以被该金属中的某个电子全部吸收。电子吸收光子的能量后，动能立刻增加;如果动能增大到足以克服原子核对它的引力，就能在十亿分之一秒时间内飞逸出金属表面，成为光电子，形成光电流。单位时间内，入射光子的数量愈大，飞逸出的光电子就愈多，光电流也就愈强，这种由光能变成电能自动放电的现象，就叫光电效应。 赫兹于1887年发现光电效应，爱因斯坦第一个成功的解释了光电效应（金属表面在光辐照作用下发射电子的效应，发X来的电子叫做光电子）。光波长小于某一临界值时方能发射电子，即极限波长，对应的光的频率叫做极限频率。临界值取决于金属材料，而发射电子的能量取决于光的波长而与光强度无关，这一点无法用光的波动性解释。还有一点与光的波动性相矛盾，即光电效应的瞬时性，按波动性理论，如果入射光较弱，照射的时间要长一些，金属中的电子才能积累住足够的能量，飞出金属表面。可事实是，只要光的频率高于金属的极限频率，光的亮度无论强弱，电子的产生都几乎是瞬时的，不超过十的负九次方秒。正确的解释是光必定是由与波长有关的严格规定的能量单位(即光子或光量子)所组成。光电效应里电子的X方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面X，与光照方向无关。光是电磁波，但是光是高频震荡的正交电磁场，振幅很小，不会对电子X方向产生影响。光电效应说明了光具有粒子性。相对应的，光具有波动性最典型的例子就是光的干涉和衍射。只要光的频率超过某一极限频率，受光照射的金属表面立即就会逸出光电子，发生光电效应。当在金属外面加一个闭合电路，加上正向电源，这些逸出的光电子全部到达阳极便形成所谓的光电流。在入射光一定时，增大光电管两极的正向电压，提高光电子的动能，光电流会随之增大。但光电流不会无限增大，要受到光电子数量的约束，有一个最大值，这个值就是饱和电流。所以，当入射光强度增大时，根据光子假设，入射光的强度（即单位时间内通过单位垂直面积的光能）决定于单位时间里通过单位垂直面积的光子数，单位时间里通过金属表面的光子数也就增多，于是，光子与金属中的电子碰撞次数也增多，因而单位时间里从金属表面逸出的光电子也增多，电流也随之增大。
光电效应分为哪两大类？
光电效应只能分为两类，光电效应分为：外光电效应和内光电效应。
1、内光电效应是被光激发所产生的载流子（X电子或空穴）仍在物质内部运动，使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。
2、外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面，形成真空中的电子的现象。
（1）光电导效应
在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到X状态，而引起材料电导率的变化。
当光照X光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强，光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。
（2）光生伏特效应
“光生伏特效应”，简称“光伏效应”。指光照使不均匀半导体或半导体与金属结合的不同部位之间产生电位差的现象。它首先是由光子（光波）转化为电子、光能量转化为电能量的过程；其次，是形成电压过程。有了电压，就像筑高了大坝，如果两者之间连通，就会形成电流的回路。
什么是光感效应分为哪几种？
光照X某些物质上,引起物质的电性质发生变化,这类现象被人们统称为光感效应。
分为三种：
1、外光电效应：指在光的照射下,材料中的电子逸出表面的现象.光电管及光电倍增管均属这一类.它们的光电发射极,即光明极就是用具有这种特性的材料制造的.
2、 内光电效应：指在光的照射下,材料的电阻率发生改变的现象.光敏电阻即属此类.
3、光生伏特效应：利用光势垒效应,光势垒效应指在光的照射下,物体内部产生一定方向的电势.光电池是基于光生伏特效应制成的,是自发电式有源器件.
光子效应分类？
光子效应分为三类，分别是外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。光电效应指的是高于某特定频率的电磁波照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，即光生电。
光电效应分为哪三类
光电效应的类别
1、外光电效应：指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。光电管及光电倍增管均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的材料制造的。
2、 内光电效应：指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象，光敏电阻即属此类。
3、光生伏特效应：利用光势垒效应，光势垒效应指在光的照射下，物体内部产生一定方向的电势。光电池是基于光生伏特效应制成的，是自发电式有源器件。
光电效应分为哪三类
光电效应的应用
1、光电探测器是对半导体光电效应的重要应用，其中光敏管是此类光电器件的重要组成部分，光电探测仪在生活和科技中都有着非常广泛的应用。
2、太阳能电池中也会应用到光电效应，太阳能电池成为宇宙飞船、人造卫星、空间站的重要长期电源。
内光电效应的优缺点？
优点：
1、每一种金属在产生光电效应时都存在一极限频率（或称截止频率），即照射光的频率不能低于某一临界值。相应的波长被称做极限波长（或称红限波长）。当入射光的频率低于极限频率时，无论多强的光都无法使电子逸出。
2、光电效应中产生的光电子的速度与光的频率有关，而与光强无关。
3、光电效应的瞬时性。实验发现，即几乎在照到金属时立即产生光电流。响应时间不超过十的负九次方秒（1ns）。
缺点就是刺眼。
光照X金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应（Photoelectric effect）。
光电效应分为光电子发射、光电导效应和阻挡层光电效应，又称光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面，又称外光电效应（photoelectric emission）。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。
按照粒子说，光是由一份一份不连续的光子组成，当某一光子照X对光灵敏的物质（如硒）上时，它的能量可以被该物质中的某个电子全部吸收。电子吸收光子的能量后，动能立刻增加。
如果动能增大到足以克服原子核对它的引力，就能在十亿分之一秒时间内飞逸出金属表面，成为光电子，形成光电流。单位时间内，入射光子的数量愈大，飞逸出的光电子就愈多，光电流也就愈强，这种由光能变成电能自动放电的现象，就叫光电效应。
内外光电效应的区别？
1.外光电效应
指在光的照射下，材料中的电子逸出表面的现象。 光电管 及 光电倍增管 均属这一类。它们的光电发射极，即光明极就是用具有这种特性的 材料制造 的。
2.内光电效应
指在光的照射下，材料的电阻率发生改变的现象。光敏电阻即属此类。
光电效应
光照X某些物质上 , 引起物质的电性质发生变化 , 这类光致电变的现象统称为光电 效应。 光电效应一般分为外光电效应和内光电效应。 内光电效应是被光激发所产生的载流子 (X电子或空穴)仍在物质内部运动,使物质的电导率发生变化或产生光生伏特的现象。 外光电效应是被光激发产生的电子逸出物质表面,形成真空中的电子的现象。
一、 外光电效应在光线的作用下, 物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外 光电效应。 向外发射的电子叫做光电子。 基于外光电效应的光电器件有光电管、 光电倍增管 等。
光子是具有能量的粒子,每个光子的能量:E=hvh— 普朗克常数, 6.626×10-34J·s ; ν— 光的频率(s -1)根据爱因斯坦假设,一个电子只能接受一个光子的能量,所以要使一个电 子从物体表面逸出, 必须使光子的能量大于该物体的表面逸出功, 超过部分的能量表现为逸 出电子的动能。 外光电效应多发生于金属和金属氧化物, 从光开始照射至金属释放电子所需 时间不超过 10-9s 。
根据能量守恒定理
E=hv-W
该方程称为爱因斯坦光电效应方程。
二、 内光电效应当光照在物体上, 使物体的电导率发生变化, 或产生光生电动势的 现象。分为光电导效应和光生伏特效应(光伏效应) 。
1 光电导效应在光线作用下, 电子吸收光子能量从键合状态过度到X状态, 而引 起材料电导率的变化。 当光照X光电导体上时, 若这个光电导体为本征半导体材料, 且光 辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去,使光导体的电导率变大。 基于这种效应的光电器件有光敏电阻。
2 光生伏特效应在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。 基于该效应的 器件有光电池和光敏二极管、三极管。
① 垒效应(结光电效应)光照射 PN 结时,若 hf ≧ Eg ,使价带中的电子跃迁到导 带,而产生电子空穴对,在阻挡层内电场的作用下,电子偏向 N 区外侧,空穴 偏向 P 区外侧,使 P 区带正电, N 区带负电,形成光生电动势。
② 侧向光电效应(丹培效应)当半导体光电器件受光照不均匀时,光照部分产生 电子空穴对,载流子浓度比未受光照部分的大,出现了载流子浓度梯度,引起 载流子扩散,如果电子比空穴扩散得快,导致光照部分带正电,未照部分带负 电,从而产生电动势,即为侧向光电效应。
③ 光电磁效应半导体受强光照射并在光照垂直方向外加磁场时, 垂直于光和磁场 的半导体两端面之间产生电势的现象称为光电磁效应, 可视之为光扩散电流的 霍尔效应。④贝克勒耳效应是指液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液 中的两个同样电极中的一个电极时, 在两个电极间产生电势的现象称为贝克勒 耳效应。感光电池的工作原理基于此效应。
什么叫做内光电效应？
是光电效应的一种，主要由于光量子作用，引发物质电化学性质变化。内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。 光电导效应：当入射光子X到半导体表面时，半导体吸收入射光子产生电子空穴对，使其自生电导增大。光生伏特效应：当一定波长的光照射非均匀半导体（如PN结），在自建场的作用下，半导体内部产生光电压。
